Presentamos la nueva memoria Intel® Optane ™ H10 con almacenamiento de estado sólido que combina dos tecnologías innovadoras, la tecnología Intel® Optane ™ de baja latencia y la Intel® QLC 3D NAND de alta densidad en un solo factor de forma M.2 2280.
Capacidad
256 GB
Colección de productos
Memoria Intel® Optane ™ H10 con almacenamiento de estado sólido
Estado
Lanzado
Fecha de lanzamiento
10/04/2019
Condiciones de uso
PC / cliente / tableta
Actuación
Lectura secuencial (hasta)
1450 MB / s
Escritura secuencial (hasta)
650 MB / s
Lectura aleatoria (alcance de 8 GB) (hasta)
230000 IOPS
Escritura aleatoria (alcance de 8 GB) (hasta)
150000 IOPS
Latencia - Leer
8 µs
Latencia - Escribir
30 µs
Poder - Activo
5.3W
Poder - Inactivo
L1.2: <12mW
Fiabilidad
Temperatura de funcionamiento (máxima)
70 ° C
Temperatura de funcionamiento (mínima)
0 ° C
Vibración - Operativa
2,17 GRMS (5-700 Hz) Máx.
Vibración: no operativa
3.13 GRMS (5-800 Hz) Máx.
Choque (operativo y no operativo)
1000 G / 0.5 ms y 1500 G / 0.5 ms
Rango de temperatura de funcionamiento
0 ° C a 70 ° C
Calificación de resistencia (escrituras de por vida)
75TBW
Tiempo medio entre fallas (MTBF)
1,6 millones de horas